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IPU80R1K0CEAKMA1

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251

Numéro d'article

IPU80R1K0CEAKMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™ CE

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO251

Dissipation de puissance (maximum)

83W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

800V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

950 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

785pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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