Acheter Infineon Technologies IPT60R050G7XTMA1 MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IPT60R050G7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8

Numéro d'article

IPT60R050G7XTMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™ G7

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerSFN

Package d'appareil du fournisseur

PG-HSOF-8

Dissipation de puissance (maximum)

245W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

44A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 15.9A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 800µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2670pF @ 400V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 16079 PCS

Coordonnées