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IPP70N10S3L12AKSA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3

Numéro d'article

IPP70N10S3L12AKSA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO220-3-1

Dissipation de puissance (maximum)

125W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

70A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

12.1 mOhm @ 70A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.4V @ 83µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5550pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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