Acheter Infineon Technologies IPN95R1K2P7ATMA1 MOSFET N-CH 950V 6A SOT223

Chine
Fournisseur professionnel de composants électroniques

Catalogues Fabricants CN ICs

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IPN95R1K2P7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 6A SOT223

Numéro d'article

IPN95R1K2P7ATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™ P7

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-223-3

Package d'appareil du fournisseur

PG-SOT223

Dissipation de puissance (maximum)

7W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

950V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 140µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

478pF @ 400V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 22376 PCS

Coordonnées