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IPI90N06S4L04AKSA1

IPI90N06S4L04AKSA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Numéro d'article
IPI90N06S4L04AKSA1
Fabricant/Marque
Série
OptiMOS™
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Package d'appareil du fournisseur
PG-TO262-3
Dissipation de puissance (maximum)
150W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
90A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
13000pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±16V
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Coordonnées
Mots-clés de IPI90N06S4L04AKSA1
IPI90N06S4L04AKSA1 Composants électroniques
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