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IPI200N25N3GAKSA1

MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

Numéro d'article

IPI200N25N3GAKSA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO262-3

Dissipation de puissance (maximum)

300W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

250V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

64A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 64A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 270µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7100pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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