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IPI020N06NAKSA1

MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3

Numéro d'article

IPI020N06NAKSA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO262-3

Dissipation de puissance (maximum)

3W (Ta), 214W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

29A (Ta), 120A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.8V @ 143µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

106nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7800pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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