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IPC50N04S55R8ATMA1

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON

Numéro d'article

IPC50N04S55R8ATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

PG-TDSON-8

Dissipation de puissance (maximum)

42W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

50A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

5.8 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.4V @ 13µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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