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IPB80N04S2H4ATMA2

IPB80N04S2H4ATMA2

MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Numéro d'article
IPB80N04S2H4ATMA2
Fabricant/Marque
Série
*
Statut de la pièce
Active
Emballage
-
Technologie
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
-
Colis/Caisse
-
Package d'appareil du fournisseur
-
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
-
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
-
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
-
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
-
Citation requise
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Mots-clés de IPB80N04S2H4ATMA2
IPB80N04S2H4ATMA2 Composants électroniques
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