Acheter Infineon Technologies IPB45N06S3L-13 MOSFET N-CH 55V 45A TO-263

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IPB45N06S3L-13

MOSFET N-CH 55V 45A TO-263

Numéro d'article

IPB45N06S3L-13

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO263-3-2

Dissipation de puissance (maximum)

65W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

45A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

13.1 mOhm @ 26A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 30µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

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