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IPB26CN10NGATMA1

MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3

Numéro d'article

IPB26CN10NGATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D²PAK (TO-263AB)

Dissipation de puissance (maximum)

71W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

35A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 35A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 39µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2070pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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