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IPB22N03S4L15ATMA1

IPB22N03S4L15ATMA1

MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
Numéro d'article
IPB22N03S4L15ATMA1
Fabricant/Marque
Série
OptiMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
PG-TO263-3-2
Dissipation de puissance (maximum)
31W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
22A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
14.6 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.2V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±16V
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Mots-clés de IPB22N03S4L15ATMA1
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