Acheter Infineon Technologies IPB072N15N3GE8187ATMA1 MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

IPB072N15N3GE8187ATMA1

MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Numéro d'article

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO263-3-2

Dissipation de puissance (maximum)

300W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

150V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

7.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 270µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5470pF @ 75V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à chen_hx1688@hotmail.com, nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 15800 PCS

Coordonnées