Acheter Infineon Technologies IPB009N03LGATMA1 MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IPB009N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

Numéro d'article

IPB009N03LGATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO263-7-3

Dissipation de puissance (maximum)

250W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

180A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

0.95 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

227nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

25000pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 17602 PCS

Coordonnées