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IPB065N15N3GE8187ATMA1

MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Numéro d'article

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO263-7

Dissipation de puissance (maximum)

300W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

150V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

130A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 270µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7300pF @ 75V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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