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IPB049N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Numéro d'article

IPB049N06L3GATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D²PAK (TO-263AB)

Dissipation de puissance (maximum)

115W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

80A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.7 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 58µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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