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IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1

MOSFET N-CH 100V D2PAK-7
Numéro d'article
IPB017N10N5LFATMA1
Fabricant/Marque
Série
OptiMOS™-5
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Package d'appareil du fournisseur
PG-TO263-7
Dissipation de puissance (maximum)
313W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
180A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.1V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
840pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de IPB017N10N5LFATMA1
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