Acheter Infineon Technologies IPB017N10N5LFATMA1 MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IPB017N10N5LFATMA1

MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Numéro d'article

IPB017N10N5LFATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™-5

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO263-7

Dissipation de puissance (maximum)

313W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

180A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.1V @ 270µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 30678 PCS

Coordonnées