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IPA90R1K2C3XKSA1

MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP

Numéro d'article

IPA90R1K2C3XKSA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3 Full Pack

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO220-FP

Dissipation de puissance (maximum)

31W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

900V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.1A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 310µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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