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BSZ22DN20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

Numéro d'article

BSZ22DN20NS3GATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

PG-TSDSON-8

Dissipation de puissance (maximum)

34W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

225 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 13µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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