Acheter Infineon Technologies BSS806NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

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BSS806NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Numéro d'article

BSS806NH6327XTSA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

PG-SOT23-3

Dissipation de puissance (maximum)

500mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.3A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

57 mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

750mV @ 11µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 2.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

529pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 2.5V

Vgs (Max)

±8V

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