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BSS606NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89

Numéro d'article

BSS606NH6327XTSA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-243AA

Package d'appareil du fournisseur

PG-SOT89

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.3V @ 15µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

657pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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