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BSS169L6906HTSA1

BSS169L6906HTSA1

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Numéro d'article
BSS169L6906HTSA1
Fabricant/Marque
Série
SIPMOS®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
PG-SOT23-3
Dissipation de puissance (maximum)
360mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
170mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.8V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.8nC @ 7V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
68pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de BSS169L6906HTSA1
BSS169L6906HTSA1 Composants électroniques
BSS169L6906HTSA1 Ventes
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