Acheter Infineon Technologies BSS119E6327 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

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BSS119E6327

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Numéro d'article

BSS119E6327

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

PG-SOT23-3

Dissipation de puissance (maximum)

360mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

170mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.3V @ 50µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

78pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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