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BSP324L6327HTSA1

BSP324L6327HTSA1

MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
Numéro d'article
BSP324L6327HTSA1
Fabricant/Marque
Série
SIPMOS®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Package d'appareil du fournisseur
PG-SOT223-4
Dissipation de puissance (maximum)
1.8W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
400V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
170mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
25 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
154pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de BSP324L6327HTSA1
BSP324L6327HTSA1 Composants électroniques
BSP324L6327HTSA1 Ventes
BSP324L6327HTSA1 Fournisseur
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