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BSP300 E6327
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Numéro d'article
BSP300 E6327
Fabricant/Marque
Série
SIPMOS®
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Package d'appareil du fournisseur
PG-SOT223-4
Dissipation de puissance (maximum)
1.8W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
800V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
190mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
230pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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