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BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON

Numéro d'article

BSG0811NDATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Puissance - Max

2.5W

Package d'appareil du fournisseur

PG-TISON-8

Type FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

19A, 41A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 12V

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