Acheter Infineon Technologies BSB012NE2LX MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

BSB012NE2LX

MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2

Numéro d'article

BSB012NE2LX

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

3-WDSON

Package d'appareil du fournisseur

MG-WDSON-2, CanPAK M™

Dissipation de puissance (maximum)

2.8W (Ta), 57W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

37A (Ta), 170A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 12V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 41796 PCS

Coordonnées