Acheter Infineon Technologies AUXAKF1405ZS-7P MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7

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AUXAKF1405ZS-7P

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7

Numéro d'article

AUXAKF1405ZS-7P

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK (7-Lead)

Dissipation de puissance (maximum)

230W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

120A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.9 mOhm @ 88A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5360pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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