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HTNFET-D

MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Numéro d'article

HTNFET-D

Fabricant/Marque

Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

Série

HTMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 225°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

8-CDIP Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

8-CDIP-EP

Dissipation de puissance (maximum)

50W (Tj)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 100mA, 5V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.4V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 28V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

10V

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