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GA100JT17-227

TRANS SJT 1700V 160A SOT227

Numéro d'article

GA100JT17-227

Fabricant/Marque

GeneSiC Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Tube

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

SOT-227-4, miniBLOC

Package d'appareil du fournisseur

SOT-227

Dissipation de puissance (maximum)

535W (Tc)

Type FET

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1700V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

160A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 100A

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 800V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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