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GA03JT12-247
TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
Numéro d'article
GA03JT12-247
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247AB
Dissipation de puissance (maximum)
15W (Tc)
Type FET
-
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3A (Tc) (95°C)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
460 mOhm @ 3A
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
-
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