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2N7637-GA

TRANS SJT 650V 7A TO-257

Numéro d'article

2N7637-GA

Fabricant/Marque

GeneSiC Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 225°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-257-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-257

Dissipation de puissance (maximum)

80W (Tc)

Type FET

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

7A (Tc) (165°C)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 7A

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 35V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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