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1N8026-GA
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Numéro d'article
1N8026-GA
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-257-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-257
Type de diode
Silicon Carbide Schottky
Courant - Moyenne redressée (Io)
8A (DC)
Tension - Direct (Vf) (Max) @ If
1.6V @ 2.5A
Courant - Fuite inverse @ Vr
10µA @ 1200V
Tension - CC inverse (Vr) (Max)
1200V
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversée (trr)
0ns
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 250°C
Capacité @ Vr, F
237pF @ 1V, 1MHz
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