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DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

MOSFET NCH 100V TO252
Numéro d'article
DMTH10H025LK3-13
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
TO-252, (D-Pak)
Dissipation de puissance (maximum)
3.1W (Ta)
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
51.7A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1477pF @ 50V
Vgs (Max)
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Mots-clés de DMTH10H025LK3-13
DMTH10H025LK3-13 Composants électroniques
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