Acheter Diodes Incorporated DMTH10H010LCTB-13 MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

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DMTH10H010LCTB-13

MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Numéro d'article

DMTH10H010LCTB-13

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220AB

Dissipation de puissance (maximum)

2.4W (Ta), 166W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

108A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

53.7nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2592pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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