Acheter Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7 MOSFET BVDSS: 8V 24V,U-DFN2020-6

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DMT2004UFDF-7

MOSFET BVDSS: 8V 24V,U-DFN2020-6

Numéro d'article

DMT2004UFDF-7

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-UDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

U-DFN2020-6 (Type F)

Dissipation de puissance (maximum)

800mW (Ta), 12.5W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

24V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

14.1A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.45V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

53.7nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1683pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Vgs (Max)

±12V

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