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DMN6013LFGQ-13

MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Numéro d'article

DMN6013LFGQ-13

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

PowerDI3333-8

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10.3A (Ta), 45A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

55.4nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2577pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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