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DMN10H120SFG-7
MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Numéro d'article
DMN10H120SFG-7
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerVDFN
Package d'appareil du fournisseur
PowerDI3333-8
Dissipation de puissance (maximum)
1W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.8A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.6nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
549pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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