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DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

Numéro d'article

DMN100-7-F

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SC-59-3

Dissipation de puissance (maximum)

500mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.1A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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