Acheter Diodes Incorporated DMN1016UCB6-7 MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

DMN1016UCB6-7

MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Numéro d'article

DMN1016UCB6-7

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-UFBGA, WLBGA

Package d'appareil du fournisseur

U-WLB1510-6

Dissipation de puissance (maximum)

920mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.5A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

423pF @ 6V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 11086 PCS

Coordonnées

Produits connexes

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3