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DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7

MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Numéro d'article
DMG6402LVT-7
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareil du fournisseur
TSOT-26
Dissipation de puissance (maximum)
1.75W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
498pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de DMG6402LVT-7
DMG6402LVT-7 Composants électroniques
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