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DMG1012T-7

DMG1012T-7

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Numéro d'article
DMG1012T-7
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-523
Package d'appareil du fournisseur
SOT-523
Dissipation de puissance (maximum)
280mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
630mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.74nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
60.67pF @ 16V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±6V
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Coordonnées
Mots-clés de DMG1012T-7
DMG1012T-7 Composants électroniques
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