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CAS100H12AM1

CAS100H12AM1

MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE
Numéro d'article
CAS100H12AM1
Fabricant/Marque
Série
Z-FET™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Bulk
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
Module
Puissance - Max
568W
Package d'appareil du fournisseur
Module
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
168A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.1V @ 50mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9500pF @ 800V
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Coordonnées
Mots-clés de CAS100H12AM1
CAS100H12AM1 Composants électroniques
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