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C3M0075120J-TR
1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET ON
Numéro d'article
C3M0075120J-TR
Fabricant/Marque
Série
C3M™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Package d'appareil du fournisseur
TO-263-7
Dissipation de puissance (maximum)
113.6W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
30A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 1000V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Vgs (Max)
+15V, -4V
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