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C3M0065090D
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Numéro d'article
C3M0065090D
Fabricant/Marque
Série
C3M™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247-3
Dissipation de puissance (maximum)
125W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
900V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
36A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.1V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30.4nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 600V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Vgs (Max)
+18V, -8V
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