Acheter Central Semiconductor Corp CXDM6053N TR MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89

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CXDM6053N TR

MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89

Numéro d'article

CXDM6053N TR

Fabricant/Marque

Central Semiconductor Corp

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-243AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-89

Dissipation de puissance (maximum)

1.2W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.3A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

41 mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

20V

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