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CXDM1002N TR

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

Numéro d'article

CXDM1002N TR

Fabricant/Marque

Central Semiconductor Corp

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-243AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-89

Dissipation de puissance (maximum)

1.2W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

300 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

20V

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