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AOV15S60

AOV15S60

MOSFET N-CH 600V 0.52A 5-DFN
Numéro d'article
AOV15S60
Série
aMOS™
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
4-PowerTSFN
Package d'appareil du fournisseur
4-DFN-EP (8x8)
Dissipation de puissance (maximum)
8.3W (Ta), 208W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
520mA (Ta), 12A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15.6nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
717pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de AOV15S60
AOV15S60 Composants électroniques
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