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AON3419

MOSFET P-CH 30V 10A DFN

Numéro d'article

AON3419

Fabricant/Marque

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SMD, Flat Lead

Package d'appareil du fournisseur

8-DFN (2.9x2.3)

Dissipation de puissance (maximum)

3.1W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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