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AOI4S60

MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

Numéro d'article

AOI4S60

Fabricant/Marque

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Série

aMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Package d'appareil du fournisseur

TO-251A

Dissipation de puissance (maximum)

56.8W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

263pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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